一、个人简介
燕少安，男，韦徳体育官网机械工程与力学学院，副教授。目前主要从事神经形态器件及类脑计算、MEMS传感器及可靠性、钝感MEMS火工品等方面的研究工作。主持国家自然科学基金青年项目1项、湖南省自然科学基金2项，作为骨干成员参与国家重点研发计划、国家自然科学基金重点项目、973项目、国防特色学科发展项目以及湖南省重点研发计划等科研项目8项，目前发表SCI论文40余篇。在韦徳体育官网机械工程与力学学院任职期间主讲《半导体物理与器件》博士课程、《微纳制造》、《微机电系统导论》研究生课程，《微纳加工技术与应用》、《微传感器和微执行器》以及《计算方法与程序设计》等本科生课程。邮箱：yanshaoan@xtu.edu.cn
二、学习工作经历
2019/12-今， 韦徳体育官网，机械工程与力学学院，副教授
2016/08-2019/12，韦徳体育官网，机械工程与力学学院，讲师
三、主讲课程
《半导体物理与器件》博士课程、《微纳制造》、《微机电系统导论》研究生课程，《微纳加工技术与应用》、《微传感器和微执行器》以及《计算方法与程序设计》等本科生课程。
四、研究方向
1. 神经形态计算架构及芯片
2. MEMS传感器及可靠性
3. 钝感MEMS火工品
五、获奖情况
1. 先进信息功能材料及其低功耗高密度存储器件，湖南省人民政府，自然科学奖二等奖，2020
六、科研项目
1. 基于二维MoS2沟道的HfO2铁电场效应晶体管辐射效应(61804130)，国家自然科学基金青年项目，2019/01-2021/12，主持，结题
2. 铪基铁电人工突触器件制备及抗辐照特性研究(2023JJ30599)，湖南省自然科学基金面上项目，2023/01-2025/12，主持，在研
3. 氧化铪基铁电场效应晶体管的总剂量效应与机理研究(2018JJ3513)，湖南省自然科学基金青年项目，2018/01-2020/12，主持，结题
4. XXXXXX辐照损伤机制与加固技术研究，XXXXXX工程自主科研项目，2023/06-2027/06，参与(子课题负责人)，在研
5. XXXXXX存储器研制(JCKY2018403C015)，XXXX发展项目，2019/01-2021/12，参与(排名第二，子课题负责人)，结题
6. 车载复合材料储氢气瓶服役检测监测与诊断评估技术(2021YFB4000800)，国家重点研发计划，2021/12-2024/12，参与，车载储氢气瓶氢泄漏FET型高灵敏感知技术研究子任务，在研
7. 基于微纳技术二维材料器件的多场耦合失效机理研究(11832016)，国家自然科学基金重点项目，2019/01-2023/12，参与，结题
8. 新一代MEMS微纳火工品芯片关键技术(2020GK2014)，湖南省重点研发计划，2020/06-2022/12，参与，子课题负责人，结题
七、代表性论著
1. Influence of metal electrodes on the irradiation resistance of HZO ferroelectric thin film capacitors and mechanism analysis. Journal of Alloys and Compounds, 2024, 976: 173175. SCI 1区
2. EAF-WGAN: Enhanced Alignment Fusion-Wasserstein Generative Adversarial Network for Turbulent Image Restoration. IEEE Transactions on Circuits and Systems for Video Technology, 2023, 33(10), 5605-5616. SCI 1区
3. Recent progress in ferroelectric synapses and their applications. Science China Materials, 2023, 66(3): 877-894. SCI 1区
4. Growth kinetics of the ferroelectric Al-doped HfO2 thin films via synergistic effect of various essential factors. Ceramics International, 2020, 47, 4674-468. SCI 1区
5. Direct observation of structural deformation immunity for understanding oxygen plasma treatment-enhanced resistive switching in HfOx-based memristive devices. Nanomaterials, 2019, 9(10): 1355. SCI 1区
6. MoTe2/SnSe2 Tunneling Diode Regulated by Giant Ferroelectric Field. IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(11): 5966-5971. SCI 2区
7. Investigation on heat transfer mechanism of semiconductor bridge ignition based on thermoelectric coupling analysis. Materials Today Communications, 2023, 35: 105820. SCI 2区
8. Recovery of cycling-induced endurance failed HfOx based memristive devices by utilizing oxygen plasma treatment. Applied Physics Letters, 2019, 115(24): 243105. SCI 2区
八、知识产权与成果转化
1. 一种氧化铪薄膜的制备方法，发明专利，实审，2023-02-20，中国，CN202310133984.X.
2. 解决物理设计长线时序延迟的自动化脚本编写及使用方法，发明专利，授权，2022-03-17，中国，ZL202210266806.X.
3. 高速模数转换器中复杂时钟树的建立方法和建立装置，发明专利，授权，2021-01-04，中国，CN202110000541.4.
4. 适用于非易失性存储器的电压选择电路，发明专利，授权，2020-11-05，中国，CN202011220565.2.
5. 一种通过等离子体技术增强氧化铪(HfO2)基铁电薄膜铁电性能的方法，发明专利，授权，2020-11-24，中国，CN202011325193.X.
6. 一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路，发明专利，授权，2018-05-22，中国，ZL201510792290.2.
7. 一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法，发明专利，授权，2014-08-27，中国，CN201410427196.2.
一种可实现多操作数内存计算的铁电存储器阵列，发明专利，授权，2021-08-20，中国，CN202110960899.1.
